【半導体デバイス】東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功 [すらいむ★]

1 ：すらいむ ★：2024/04/08(月) 23:20:45.63 ID:dcysEqQt.net

東工大、水素と触媒反応を活用して低接触抵抗「IGZO-TFT」の開発に成功

　東京工業大学(東工大)は4月4日、アモルファス酸化物半導体「InGaZnOx」(IGZO)のトランジスタである「IGZO-TFT」の電極に触媒金属を用いることで、電極界面が選択的に還元されることを見出し、同トランジスタの安定性を維持したまま接触抵抗を約3桁低減させることに成功したと発表した。

　同成果は、東工大 国際先駆研究機構 元素戦略MDX研究センターの辻昌武特任助教、同・Shi Yuhao大学院生、同・細野秀雄特命教授らの研究チームによるもの。
　詳細は、米国化学会が刊行するナノサイエンス/テクノロジーに関する全般を扱う学術誌「ACS Nano」に掲載された。

（以下略、続きはソースでご確認ください）

マイナビニュース　2024/04/08 13:07
https://news.mynavi.jp/techplus/article/20240408-2921717/

論文
Approach to Low Contact Resistance Formation on Buried Interface in Oxide Thin-Film Transistors: Utilization of Palladium-Mediated Hydrogen Pathway
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c02101

2 ：名無しのひみつ：2024/04/09(火) 03:17:30.55 ID:ioaJFY/4.net

無機ＥＬの夢も長い道のりだよな〜
あの腕時計に使いそうな緑単色のライト(明るいけど作動電圧高くて高エネ)
からまだまだ開発を進めてるのか別の技術なのか？きれいなんだけどコストなのかな〜

3 ：名無しのひみつ：2024/04/09(火) 04:07:44.72 ID:K2KJr7PE.net

PCやすまふぉ かなり機器の性能が上がりそうですね

4 ：名無しのひみつ：2024/04/19(金) 06:13:07.33 ID:Fk3zjLL4.net

幾三？