【技術】不揮発磁気メモリー(STT-MRAM)の記憶安定性を2倍に向上　大容量STT-MRAMの実用化開発を加速

1 ：もろ禿HINE! ★＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 22:09:07.24 ID:CAP_USER.net

産総研：不揮発磁気メモリー(STT-MRAM)の記憶安定性を2倍に向上
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151217/pr20151217.html


ポイント

•極薄コバルト層の開発により記憶安定性を2倍に向上
• 記憶素子の低素子抵抗特性を併せ持つ垂直磁化トンネル接合を実現
•20ナノメートル以下世代の大容量STT-MRAM開発を加速


概要

　国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】金属スピントロニクスチーム
薬師寺 啓 研究チーム長は、次世代のメモリーデバイスであるスピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の
記憶安定性を従来の2倍に向上させた。

　垂直磁化TMR素子は、情報記憶を行う「記憶層」と、記憶層情報の判定基準である「参照層」により構成され、記憶層には記憶した情報を失わない強固さ（記憶安定性）が
求められる。今回開発した垂直磁化TMR素子では、イリジウム層と極めて薄いコバルト層からなる界面構造を記憶層の一部に用いて、記憶安定性を従来の2倍に向上させた。
従来の半導体メモリー（DRAM）を代替するには、20ナノメートル（nm）以下の素子サイズが必要とされるが、今回の成果により、素子サイズ19 nmの超高集積化STT-MRAMの
実現が見込まれ、データストレージやモバイルデバイスといった製品化への応用が期待される。

　なお、この成果は、近くApplied Physics Expressのオンライン版へ掲載される。


（以下略）

2 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 22:12:50.85 ID:8G+seYfM.net

おれは今でもＦＤＤ

3 ：_＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 22:20:20.29 ID:EG6JTr35.net

ソニーの戦犯の一人で、エンジニアを敵視してたクズが理事長か
地位に相応しくない人物だな

4 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 22:41:06.92 ID:r6MHu05t.net

なんで無能の中鉢が理事長やってんの？

5 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 22:42:06.70 ID:5+UIvbDe.net

超速くて凄い容量のSSDがつくれるんだね？

6 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 23:07:22.83 ID:r6MHu05t.net

IEDMに採択されなかったって事か？なら大した事ないな

7 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 23:42:39.78 ID:QkCxlUob.net

そんなもんより3年アクセスしなかったら完全に消え去るUSBメモリーが欲しい

8 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 23:44:34.86 ID:ckIXdZWq.net

FM8のパブルメモリは先を進んでいたんだなー（棒）

9 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 23:45:08.99 ID:LQhuOlgv.net

富士通のバブルメモリ？

10 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/17(木) 23:45:47.78 ID:LQhuOlgv.net

悔しいorz

11 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 02:19:27.89 ID:A3r3N0ke.net

>>5
長寿もね死なないSDとか業務用で需要ありそう

12 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 02:40:54.68 ID:uTtCEdee.net

http://mastiff.2ch.net/test/read.cgi/editorialplus/1446358029/13
　 　　　　　　 ↑　↑　　↑　↑　　↑　↑　

13 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 02:41:44.97 ID:ndNsLjlI.net

ケーブルで輪っか作ってデータをループさせればいい

14 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 10:05:17.53 ID:XGFDlnE1.net

いつHDDはなくなるんだ
固定記憶装置として残るのかな

15 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 10:32:31.98 ID:ozGCIoBX.net

>>14
磁気テープもなんだかんだ言って残ってるから
こっそり残るんじゃない？

16 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 10:58:50.59 ID:KLBsjVpH.net

各新技術は外国に漏らさないようにしないと生き残れないぞ

17 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 11:22:33.00 ID:4xi6GC/m.net

ありゃりゃ、実用化したら初期のしょぼい容量でもＨＤＤは容量とコストで追いつけないぞ、こりゃｗ

一番安いもんでもとんでもない容量になるｗ

世の中はその容量が基準になってすすんでデータがなんでも肥大化していくから今のストレージじゃおっつかなくなる。買替が進むぞ？

18 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 13:01:00.65 ID:ozGCIoBX.net

>>17
馬鹿は黙ってろ

19 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 18:20:50.27 ID:SdrU04MB.net

MRAMに力入れている企業は東芝
NANDフラッシュの次はMRAMと考えているらしい
が、大容量化の道はまだまだ遠い
ISSCCにも数Mbの試作しか発表してないし

20 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/18(金) 23:06:52.30 ID:reBr1H0P.net

FM-8 磁気バブルメモリー 大容量 なんと64Kbyte

21 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/19(土) 18:28:17.27 ID:fZcn53NO.net

いつまで経っても実用化されない次世代不揮発性メモリよりもDDR4対応のハードウェアのRamdiskを出してくれ
一体いつまでANS-9010を使わなくちゃならんのだ

22 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/20(日) 04:35:42.45 ID:kBJHH6PI.net

>>21
4ソケットのXeonマシン使えばいいと思うよ
ググッて一番最初に見つかったのはこれ
http://www.hpc.co.jp/HPC7000-XI496R4S_features.html
96個のDIMMソケットに一枚64GBのメモリー挿せるから、6TBまでいけるぞ

23 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/20(日) 12:43:58.74 ID:/hpVFpTX.net

石碑安定性最強説

24 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/21(月) 07:08:22.81 ID:P0KkIDAL.net

>>21
なんでramdisc領域作成じゃだめなん？16Gb乗っけても10Gb以上取れるだろ
今のマザボなら64Gbでも普通に乗るし