【半導体】産総研、多結晶ゲルマニウムトランジスタの性能改善に成功

1 ：Mogtan ★＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 03:51:08.94 ID:???.net

掲載日：2014年12月18日

産業技術総合研究所(産総研)は12月16日、LSIの3D積層技術の実現に向けて、新たな多結晶膜形成技術を開発し、
N型多結晶ゲルマニウム(Ge)トランジスタの性能を大幅に改善したと発表した。

同成果は、同所 ナノエレクトロニクス研究部門 新材料・機能インテグレーショングループの森貴洋研究員らによるもの。詳細は、
12月15〜17日に米国サンフランシスコで開催される国際会議「2014 International Electron Devices Meeting(IEDM2014)」にて発表される。

多結晶Geは、広く用いられている多結晶シリコン(Si)に比べ、より低温(500℃以下)で形成できる。そのため、熱的ダメージを
与えずに集積回路上にCMOS回路を直接積層でき、3D-LSIの要素技術として有望である。さらに、Ge中の電子や正孔の移動度は
Siよりも高いため、高速動作や低電圧動作が期待される。

一方で、集積回路動作にはN型とP型のトランジスタが必要で、多結晶GeのP型トランジスタではすでに通常の単結晶Siトランジスタに迫る
十分な性能が得られている。しかし、N型トランジスタの電流駆動力は通常のSiトランジスタよりも1桁以上低いという問題があった。
今回開発した技術では、電流駆動力を従来の約10倍に増大できたため、多結晶Ge集積回路の動作速度が実用レベルになると期待され、
3D-LSIの実現に貢献することが考えられるとコメントしている。

<画像>
(左)多結晶Geトランジスタを用いた3D-LSIのコンセプト図と(右)今回開発した多結晶Geトランジスタの構造模式図
http://news.mynavi.jp/news/2014/12/18/075/images/001l.jpg

<参照>
産総研：多結晶ゲルマニウムトランジスタの性能を大幅に向上
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216/pr20141216.html

<記事掲載元>
http://news.mynavi.jp/news/2014/12/18/075/

2 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 03:55:06.89 ID:7iXHC9/4.net

ゲルマニウムラジオって電池無しで、受けた電波のエネルギーだけで音が聞こえたはず

3 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 04:17:26.88 ID:fpBt+Zw5.net

どのくらいインパクトのある研究成果か理解できない。
3D-LSIが実用化すればよりコンパクトで高速なCPUができると思うが、発熱の問題はどこまクリアできるか？

4 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 04:41:47.21 ID:PxavH69j.net

シリコンのチップの上にゲルマニウムの生成層を積み上げるってことかな

5 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 04:48:14.52 ID:dmBZFKW/.net

♪　彼女きょーかしょー広げてる時―

6 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 05:45:30.09 ID:vei8+NVH.net

>>2
エコなラジオだけど、ラジオ聞く人も減ってきている。
ラジオ製品事体、残念な物に成り下がりつつあるのが寂しい

7 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 06:17:41.90 ID:qyfDUtcB.net

これはシリコンだがコンセプトは同じだな：
【半導体】産総研、ノイズを劇的に低減した立体型トランジスタを開発(c)2ch.net
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1418825031/

8 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 06:39:43.37 ID:ZsX+i671.net

>>2
鉱石ラジオて言ったんだな、たしか。
て言うか、ゲルマニウムトランジスタが現存する事に驚いてる

9 ：転載上等＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 07:15:12.43 ID:IDtc8BSq.net

サムスンが共同研究持ちかけても話乗らないでね。

10 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 08:07:13.45 ID:U970rh3s.net

積層LSIって排熱とかどうするの？

11 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 08:53:39.64 ID:3xi+4Adx.net

はんだ付けの際に足をピンセットで挟まないと壊れる?

12 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 10:07:10.61 ID:SLsTNHpU.net

超高性能ゲルマニウムラヂヲが出来るわけか

13 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 10:29:45.32 ID:dHQLNb6s.net

基盤の上に直接半導体の元になる結晶を成長させられるなら
３ＤＬＳＩがどんどん
積層できるんで画期的なんだが。

14 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 11:35:31.88 ID:l86mMx2u.net

災害用に本格的なゲルマニウムラジオ作ってほしいのだが・・
ＳＯＮＹあたりに期待したい

15 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 11:46:12.17 ID:TxUfwB7D.net

これって、高性能CPUが作れるって事ですか？？？？

16 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 12:00:19.30 ID:uKOZD/bm.net

>>9
すぐ来るし，向こうの方がフットワークが軽い．
日本企業は研究員も技術者もチャレンジする前にあれダメこれダメってやろうとしないから．
基本的に働き者じゃないんだよ．
気持ちに余裕のある生活をさせてあげない会社にも問題があるけどな．

17 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 12:20:04.05 ID:Qi7T78D1.net

３Ｄにしたら次は熱の問題を何とかして欲しい

18 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 15:32:53.71 ID:bKo1ZZkw.net

性欲改善に見えた。。。

19 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 16:44:30.48 ID:bkHkT3hP.net

こいつをラジオの検波回路に取り付けろ。
すごいぞ、ラジオの性能は数倍に跳ね上がる！

20 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 17:47:23.48 ID:Tw9mVkzT.net

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￣￣,|￣￣,|￣￣,|￣￣,|￣￣|　 審　|lﾍ∧￣,|￣￣,|￣￣,|￣
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21 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 19:01:59.27 ID:CbYqgM/5.net

LSIの3D積層技術←これ見ておもいだした
ボールセミコンダクタをやってた企業とか入れ込んでた日本人とか
今どうしてるんだろう

22 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 19:28:35.08 ID:xkrFD/te.net

>>2
増幅しないから。

クリスタルイヤホンと組み合わせるのがお約束。

23 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/19(金) 20:25:49.07 ID:5maKX6aU.net

最初トレンチラジオ作ってそれにゲルマ足した時はマジ感動した

24 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/20(土) 01:21:44.81 ID:RSYCFfdN.net

それは、ラジオというのはゲルマニウムダイオードによる
検波ラジオ（増幅無し）じゃないのかね？

25 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/20(土) 15:29:42.24 ID:EvRYdsCs.net

増幅しないのはトランジスタじゃありません
トランジスタグラマーでボクの股間も増幅されそうです（＞＜）

26 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/20(土) 21:51:35.18 ID:6rfYWdXt.net

P型トランジスタとかN型トランジスタとか言うから訳ワカメになってるが、
PチャネルFET、NチャネルFETのことだよね？

27 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/20(土) 22:15:51.33 ID:oFZDQkkB.net

国民型受信機の球を石に代えるべき時だ

28 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/21(日) 14:39:38.61 ID:73cPwe+p.net

>多結晶Geは、広く用いられている多結晶シリコン(Si)に比べ、より低温(500℃以下)で形成できる。そのため、熱的ダメージを
>与えずに集積回路上にCMOS回路を直接積層でき、3D-LSIの要素技術として有望である。

ダウト

GeのほうがSiより融点500度ほど低いから、より低温でもGeのほうが受ける熱的ダメージ大きいだろ

29 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/21(日) 15:52:56.52 ID:afUMj1iX.net

ダウトって言う奴は大概ろくなもんじゃ無い法則

30 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/21(日) 16:16:04.12 ID:fuBByKTE.net

盗難にご注意!!

31 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/21(日) 16:35:05.69 ID:xkahK8yp.net

ダウトワロタｗ
せめて理解してから書き込めよｗ

32 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/21(日) 21:15:26.83 ID:ciIjbeVv.net

ゲルマの方がシリアよりも、十倍、百倍、千倍、いや万倍、優秀なのだ。

33 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/27(土) 08:40:44.75 ID:iQAgGdBT.net

>28
下地のSiにFET構造作って、上層に低温でGeを成膜するっていう考え方だろ。高温掛けると下に作ったトランジスタの特性が変動する。

34 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/29(月) 11:41:05.02 ID:4P2QH+K1.net

>>33
「さらに、Ge中の電子や正孔の移動度は Siよりも高いため、高速動作や低電圧動作が期待
される。」だから、下から上まで全部Geだろ

35 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2014/12/29(月) 12:18:48.19 ID:ubQhwsU7.net

プレスリリースの図くらい見れば

36 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/01/01(木) 02:02:19.67 ID:C2MxIgAu.net

周期律表では、炭素（C)、シリコン（Si)、ゲルマニウム（Ge)、
その下がスズ（Sn)、鉛（Pb)となっているけれども、スズも
状況によっては半導体的な相を持って居たような気がするけれども、
半導体にはならないの？たしか低温ではスズペストとかいって
相が転移してもろくなったと思う。

37 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/01/16(金) 06:25:11.23 ID:+w5e20wl.net

2014/12/17
【半導体】東大、極めて低い消費電力で動くトンネル電界効果トランジスタを開発(c)2ch.net
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1418824461/