【技術】電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価　超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリーの実現に道筋

1 ：もろ禿HINE! ★＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 21:59:34.44 ID:CAP_USER.net

共同発表：電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価〜超低消費電力の電圧書込み型磁気メモリー「電圧トルクＭＲＡＭ」の実現に道筋〜
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20151210/index.html


ポイント
不揮発性メモリーＭＲＡＭの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証。
実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋。
電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器の超低消費電力化の可能性。


国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長　中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長　湯浅 新治】
電圧スピントロニクスチーム　塩田 陽一　研究員は、電圧を用いた磁気メモリー書込みの安定動作を実証し、実用化に必要な書込みエラー率注１）を実現する
道筋を明らかにした。

非常に薄い金属磁石層（記録層）をもつ磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）注２）にナノ秒程度の極短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転注３）を
誘起できる。これを利用すると磁気メモリーへの情報の書込みができる。今回、この電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書込みエラー率の評価法を
開発して、エラー率を４×１０−３と評価した。さらに、実験結果を再現できる計算機シミュレーションを用いて、磁気摩擦定数注４）の低減と熱じょう乱耐性Δ
注５）の向上、あるいは書込み後のベリファイ注１）の実行により、メモリー用途に求められる１０−１０〜１０−１５というエラー率を実現できる可能性が
あることを示した（下図（ｂ））。電圧書込み方式は電流が不要なので消費電力が非常に小さくなる。今回の成果により、超低消費電力の電圧書込み型
不揮発性メモリー注６）「電圧トルクＭＲＡＭ注７）」の研究開発の加速が期待される。

この成果の詳細は、２０１５年１２月１０日に日本の科学誌Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｅｘｐｒｅｓｓのオンライン速報版に掲載される。


（以下略）

2 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:06:30.87 ID:7m1PpuB8.net

出来の悪い私めに誰か三行で説明してください

3 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:11:41.43 ID:c26RLIe1.net

男性は知らない。すべての女性がやっていることを。


http://t.co/hCsNsULFev?2015_12_love_linking_034


「それが女性の現実なのです。嫌な気持ちになっても笑って済ませます。なぜなら他に選択肢はないと思えたから」 。
http://t.co/hCsNsULFev?20151205_998_034

4 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:11:50.14 ID:uxIAis4L.net

>>2 少ないエネルギーで書き込みできるので電池長持ち

5 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:12:07.28 ID:o9EZ7+uZ.net

電力を用いずとも消えないメモリー　　…スマホの「ＯＳ」など　※意識的に書き換えも可能

6 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:12:34.07 ID:SdoIbSB4.net

補助金ねらいで無いことを祈る

7 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:18:45.26 ID:ba00t7yx.net

スピンスピン

8 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:20:16.45 ID:IBvg7gR6.net

なんでもいいからよ〜
とっとと実用化してから話題に出せや
いくらあんだよ出す出す詐欺開発

9 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:21:36.32 ID:g/SI5rEz.net

JSTの予算を半分まで圧縮へ
太陽光の悪行が酷過ぎる

>>1
その技術をメモリ業界へ高額で販売し、収益を次の研究費に充てろや
それを繰り返し→ＪＳＴを民間企業へ降格
国は予算削減で大助かり
多分、次のステップは責任すら取らない理事を全員解雇処分だけどね

10 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:20:32.77 ID:IBvg7gR6.net

なんでもいいからよ〜
とっとと実用化してから話題に出せや
いくらあんだよ出す出す詐欺開発

11 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:44:19.34 ID:TbXMFvrF.net

バブルシステムよ再び！

12 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/10(木) 22:57:16.65 ID:X5a3V3uc.net

ネオジム磁石と相性悪いん？

13 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/11(金) 01:25:06.65 ID:g7DfYBRk.net

東京モーターショー2015で話題になったダイハツ美人
http://t.co/j3smjZ6eMX?/ogusyooeuwkwuwe/sgoeiiaek

http://t.co/j3smjZ6eMX?99ech/chin/tokyo-car/0102.html
大学生フリー画像モデル、ゆかちぃが可愛すぎて乱用しがち ）

http://t.co/splux0BNV6?caqoiaoqk/tbb/chinar-yacc/01084.html

14 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/11(金) 01:42:45.77 ID:s8oPXeRm.net

人間の脳ってものすごい記憶容量なんだってね。
何でも大英図書館の蔵書の１兆倍とか。
神は偉大なり。

15 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/11(金) 07:33:53.01 ID:zRAtFwSX.net

そもそも最初から品質の良いデバイスを作成すればエラーなど起きない
製造技術のクォリティに予算を掛ければ、後付の誤魔化しは不要

16 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/11(金) 08:33:57.60 ID:JA6uDuYU.net

エラー率0.4%？
めちゃ高く感じるが開発の初期段階はそんなもんか

17 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/11(金) 13:20:14.01 ID:GW4D50ed.net

産総研のMRAMは東芝との結びつきが強すぎてなあ。

18 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/12(土) 02:52:54.65 ID:DWw7NQ2N.net

>>16
最近のHDDやFlashはECC等の誤り訂正が前提で使い物になってるだけで
生データのエラー率だとそんなには違わない

19 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/12(土) 22:20:43.25 ID:lacDtxlB.net

いろいろ欠点を指摘されてるDRAMやフラッシュメモリが結局大正義
MRAMやFeRAMは万年次世代メモリ

20 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/13(日) 03:05:40.97 ID:8lEDj/9I.net

サムスン死亡

21 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/13(日) 03:41:13.81 ID:vyXBuaoz.net

これ系は商品化がサッパリだよなまずはSDやSSDだせよ

22 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/13(日) 04:26:47.21 ID:vyXBuaoz.net

DRAMは使わない時も電気食うけどMRAMは使わない時電気要らないから
リーク電流気にしないで好きなだけ微細化出来る最強のメモリー

23 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/13(日) 04:37:02.00 ID:YyPFiZsc.net

>>19
プロセス微細化が進むとマイコンにフラッシュが組み込めなくなる
ReRAMなんかの出番はその時
STT-RAMは読み書きの速さと書き換え回数の無制限という特性から、主にプロセッサー内のSRAMの置き換え　
どっちもフラッシュやDRAMを直接置き換えることは、当分は無さそうだってのは結論が出てる

24 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/13(日) 11:14:14.65 ID:GZHfucOI.net

主記憶装置が不揮発性になってPCやOSのアーキテクチャが変わるような時代は何時頃来るんだろう？

25 ：名無しのひみつ＠＼(^o^)／：2015/12/16(水) 14:02:20.74 ID:Js506Nv/.net

磁気バブルメモリを思い出した。