電磁波犯罪被害(電磁波兵器/マインドコントロール)

251 ：概日リズム変化、昼夜逆転と電磁波犯罪：2019/06/10(月) 21:56:52.33 ID:WYM50Ib//

>>250 つづき


  低周波電磁場ELF-EMFを14日間（1日1時間）暴露すると、対照と比較してラット前頭皮質におけるドーパミンとセロトニンの合成速度が増加することがわかっています
[18]。EMFにばく露されたラットにおけるドーパミン濃度のこれらの増加は、ドーパミン作動性MN9D培養物に対する高周波（RF-EMF）パルスばく露のストレス関連効果に
起因する可能性があります。
  曝露後の細胞内一酸化窒素（NO）レベルの上昇は、Ca/CaM依存性構成型一酸化窒素シンターゼの活性化に関連していました。 CaM/NO/cGMPシグナル伝達経路は急速応
答カスケードを活性化し、それが順番にCam/NO経路上のEMFに影響を及ぼし、それは炎症および虚血に対するCNS応答を調節し、脳の心的外傷後機能回復能力を妨害する
ことができます[19]。 神経機能を調節する別のメカニズムはカルシウム恒常性であり、これはRF曝露に対する細胞応答のメディエーターであることが示唆されています
[20]。これらの点で、ラットにおけるELF EMF誘発不安は脳内のＮメチルＤアスパラギン酸（NMDA）受容体に関与することが報告されました。