【Flash】SSD Part185【SLC/MLC/TLC】

1 ：Socket774：2016/06/16(木) 19:42:16.23 ID:D/GP5rrX.net

NANDフラッシュメモリと制御コントローラ+RAM等で構成されるストレージ
無音で低消費電力、HDDと比較してもランダム性能が非常に高速
コントローラによる性能差も大きいのが現在の特徴
寿命については情報が少なく、HDDの様に初期不良や突然死の方が多い
HDDとは別物の為、性能を語るには基礎知識が必要

このスレッドでは、Sandforce/Marvell/Samsung/その他
といったコントローラーメーカーの違いを問わず、SSDに関する総合スレです。

各製品での詳細情報は各別スレを参照

■Flash SSD まとめwiki(更新停滞気味)
http://www11.atwiki.jp/flashssd/

[前スレ・過去スレ]【Flash】SSD PartXXX【SLC/MLC/TLC】
Part184 http://potato.2ch.net/test/read.cgi/jisaku/1463405266/
Part183 http://potato.2ch.net/test/read.cgi/jisaku/1459293020/
Part182 http://potato.2ch.net/test/read.cgi/jisaku/1455192705/
Part181 http://potato.2ch.net/test/read.cgi/jisaku/1451694051/
Part180 http://potato.2ch.net/test/read.cgi/jisaku/1447574897/

281 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:04:15.86 ID:O1Pr6bac.net

>>279
まあECCは確率論の話なのですり抜けが絶対に無いと言う訳ではない
普通はエラー訂正はともかくエラー検出はほぼ確実に出来るような値にするけど

282 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:04:57.04 ID:LLsswP8S.net

3D NANDは美味しい商売だったと、他社が量産開始するタイミングで公表か？
今回の2.2兆円相当の投資を含めても、更に利益率が上昇していると言う事は
先行投資した分の償却がかなり進んでいるとも取れるな

| SAMSUNGは今年はDRAMの投資を減らす、DRAMは引き続き不振が続いているためだ
| 3D NANDは金のなる木で、安定した利益を生み出す、積層数を増やす事でコストも低下し
| NAND事業の利益率は去年の17％から上昇し、今年は25％まで成長を続けている

| 更に投資を推し進めることで「一人勝ち」の構図をも狙っている様に見える
| 西安FABの拡張は勿論の事、平澤FAB新規建造も行う、アナリストは平澤FABも
| 3D NANDの量産に使われると認識しているが、SAMSUNGは最終的な生産品は決めていないようだ

Reduction of DRAM Investment; Samsung Electronics to Focus on NAND Flash
http://www.businesskorea.co.kr/english/news/industry/15044-reduction-dram-investment-samsung-electronics-focus-nand-flash

283 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:10:42.20 ID:PpP2G9Fo.net

NAND自体はシュリンクされてどんどん寿命は短くなっている。同時にコントローラが進化してWAが下がっているので
ものすごく大ざっぱに全体の流れを適当に丸めて書くと
同容量品同士の比較ならば黎明期よりも2011年頃のSSDの方がNANDはシュリンクされているのに寿命が長くなり、その後寿命は短くなる一方という感じ

一方NANDのシュリンクによりコストが下がって同価格でより大容量品が買えるようになっているので同価格同士のMLC限定の寿命比較ならば
2015(1xnm P/Eサイクル2000 256GB) ＞ 2011(2xnm P/Eサイクル3000 128GB) ＞ 2009(3xnm、P/Eサイクル5000 64GB) = 2007(5xnm、P/Eサイクル10000 32GB)
で新しい程耐久性は高い。2009と2007は計算上NANDの耐久性は同等だが2009のコントローラの方がWAが低いのでSSDとしては寿命が長い。
これがNANDメーカーがP/Eサイクルがどんだけ下がろうと遠慮なくNANDをシュリンクする理由。
プロセスの限界に突き当たらなければさらにシュリンクしたいと考えてるだろうね。
データ保持能力は確実に下がっているが、メーカーとしては短期間で買い替えてほしいし実際SSDなんて5年10年使うものではないからそんなに問題にはならない。

TLCはNANDのデータシートをみたことがないのでなんとも言えない

284 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:21:15.03 ID:PpP2G9Fo.net

>>282
ソースがクソ怪しいのはとりあえずおいておいて、

>| 3D NANDは金のなる木で、安定した利益を生み出す、積層数を増やす事でコストも低下し
というのは原文には書いていない。
原文の直訳では
>同社のNANDフラッシュ事業は、DRAM部門の販売不振を補うと半導体部門の総売上高を向上させることができます現金牛です。
という風にNANDフラッシュ事業全般になっていて、確かにNANDフラッシュは2D/3D問わず需要が高い半導体ですね。で終わる話。
こういう風に自分の願望を反映させて記事を改変するのはとても印象が悪いのでやめた方がいいね。

>サムスン電子は大幅に安定したコスト削減を通じて、今年NANDフラッシュセクターに利益を増加させました。
とあるので、逆に言えばこれまでものすごい無駄なコストが掛かっていましたよという話。
コスト削減なんて限界がある訳だが、そんなあちこち削れるところが沢山あるなんて状況は全然低コストではない。
記事は2016年6月21日 - 12:00なので、2015年以前とかどんだけコストが掛かっていたのか恐ろしい。

こんな韓国人しか読まないような韓国サイトの最新記事を知っているのはどこの国の人なんだろうね。

285 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:22:34.28 ID:LLsswP8S.net

SAMSUNG、2017年までに2.2兆円の追加投資で、3D NANDの量産を更に強化
現在稼動中の中国・西安FABの拡張と変換、平澤FAB新規建造にあてられる

(SAMSUNGにとって)収益性の高い3D NANDは、量産キャパシティ限界までFABが稼動しているため
現在の16万ウェハー/月から、今回の増築にて22万ウェハー/月まで増加させるのが目的
現在稼動中の西安FABの2D NAND製造ラインも、今回の投資によって3D NANDへ転換
この転換だけでも、3D NAND製造量は12％増加する見込み

Is Samsung Electronics Ramping Up 3D NAND?
http://blogs.barrons.com/asiastocks/2016/06/16/is-samsung-electronics-ramping-up-3d-nand/

286 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:25:06.15 ID:LLsswP8S.net

>>284
はいはい、肝心な所だけカットする貴方は何処の国の人何でしょうね？

> Its operating margins in the NAND flash sector will grow from 17 percent last year to 25 percent this year.

NANDセクタの利益率は、去年の17％から、今年は25％まで成長する

287 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:25:18.31 ID:PpP2G9Fo.net

>(SAMSUNGにとって)収益性の高い3D NANDは、
これは2Dか3Dかではなく主にエンプラ向けに売っているから収益性が高いだけ

288 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:25:59.24 ID:PpP2G9Fo.net

>>286
>>284
>とあるので、逆に言えばこれまでものすごい無駄なコストが掛かっていましたよという話。
>コスト削減なんて限界がある訳だが、そんなあちこち削れるところが沢山あるなんて状況は全然低コストではない。
>記事は2016年6月21日 - 12:00なので、2015年以前とかどんだけコストが掛かっていたのか恐ろしい。

289 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:26:54.44 ID:LLsswP8S.net

IMFT、次世代の3D NANDを発表、Micronにとって3D Xpointとは・・・
3D NAND Gen2は、現在のMLC-256Gb(32GB)、TLC-384Gb(48GB)から倍増し
MLC-512Gb(64GB)、TLC-768Gb(96GB)となる、単純に64層の3D NANDだと予測されている

16積層を行う事で、2.5インチで10TB、M.2サイズで6TBのSSDが可能となるが
(3D NANDではIMFTの独自手法となる、CMOS回路をアレイ下に配置するレイアウトにより)
NANDを4プレーンへ分割し、パフォーマンスを上昇させるギミックも盛り込んでいる

また特筆すべきは、今年の秋には2D NANDより3D NAND Gen1のコストが逆転すると示した
SAMSUNG含め『3D NANDは、まだコスト(利幅)の優位性が市場にに知られていない』状態たが
(Micronの量産が)軌道に乗り、競争が始まると、GB単価は0.2USDまで下がるという
更に2017年にGen2が量産され、GB単価は0.15USDまで下落すると伝えた

3D Xpointは、intelのロードマップがリークされたものの、Micronは保守的な立ち位置
XpointはMicronにとっても重要であるが、コントローラやファームウェアの構築や
(intelと比較して)販路や販売方法を確立する点を問題とみなしている様だ
逆にIMFTとして共同開発した3D NANDで『intelを打ち負かしてやる』とも見え
3D NANDに対しては前衛的だが、Xpointに対しては奇妙な静寂を保っていた。

Next-Gen Intel, Micron 3D NAND Density Confirmed, 3D XPoint Also Discussed At Nasdaq Conference
http://www.tomshardware.com/news/micron-3d-nand-intel-xpoint,32116.html

290 ：Socket774：2016/06/23(木) 01:33:59.44 ID:PpP2G9Fo.net

>SAMSUNG含め『3D NANDは、まだコスト(利幅)の優位性が市場にに知られていない』状態
これは文字通り未だに製造コストが下がっていないので市場価格が下がらない状態という意味。

その記事にある図ではようやく今年Q4に3Dの方がコスト削減
(できるようになるという見込み。見込みは見込みであって決定事項ではない)
http://media.bestofmicro.com/L/8/590444/original/presentaion-2.PNG

IMFTは普通に16nmのMLC、TLCを生産出来て、しかも採用製品が短期間でデータ化け等していないので
製造技術が高いメーカーであるが、
一方Samsungは20nmのTLCを作ったら採用製品が短期間でデータ化けしまくって仕方なく3Dに移行したような
低技術力メーカーであるので・・・・