【次世代半導体デバイス】次世代メモリの長所と短所を一覧する

1 ：へっぽこ立て子＠エリオット ★：2019/08/02(金) 14:11:58.70 ID:CAP_USER.net

□「3D XPointメモリ」は「メモリ製品」ではないという皮肉な現実
　2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。

　なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

　本シリーズでは過去15回にわたり、既存のメモリと次世代メモリの開発動向や市場動向などをご説明してきた。今回（最終回）は、そのまとめである。講演者であるWebb氏はまとめとして、次世代メモリの長所と短所を一覧表で示していた。取り上げた次世代メモリ技術は「3D XPointメモリ」「MRAM（磁気抵抗メモリ）」「ReRAM（抵抗変化メモリ）」「NRAM（カーボンナノチューブメモリ）」「FeRAM（強誘電体メモリ）」（新材料に限定）「Other（その他のメモリ）」である。

https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1908/02/l_mm190801storage1.jpg
次世代メモリの長所（Pros）と短所（Cons）。出典：MKW Venture Consulting, LLC

　「3D XPointメモリ」の長所は、128Gビットと次世代メモリの中では、ずぬけて大きな記憶容量（シリコンダイ当たり）の高速メモリを量産品で実現していることに尽きるだろう。記憶容量はDRAMよりもはるかに大きい。ただし書き換えサイクルの回数には制限があり、アクセス速度はDRAMに比べて遅い。また一覧表には記述されていない重要な短所に、メモリ製品が販売されていないことがある。3D XPointメモリはIntelがSSDやHDDキャッシュ、メモリモジュールなどに組み込んだ形でしか、商業化されていない。この意味では、3D XPointメモリは「メモリ製品」ではない。

>>2 に続く

2019年08月02日 11時30分 公開
EE Times Japan
https://eetimes.jp/ee/articles/1908/02/news023.html

2 ：へっぽこ立て子＠エリオット ★：2019/08/02(金) 14:12:10.04 ID:CAP_USER.net

>>1 から続く

□ReRAMの大容量化では3次元クロスポイント構造に期待
　「MRAM（磁気抵抗メモリ）」の長所は、次世代メモリの中では最も高速であることだ。最大記憶容量（シリコンダイ当たり）で1Gビットの単体メモリ製品がサンプル出荷されており、256Mビットの単体メモリ製品が販売されている。短所は記憶容量当たりのコストが非常に高いことである。このコストが阻害要因となり、64Mビット以上の大容量品はあまり使われていない。16Mビット以下の小容量品が現在でも販売の主流である。

　「ReRAM（抵抗変化メモリ）」の長所は、かなり高速であることと、メモリセルの構造がシンプルである（製造コストを低くできる）ことだ。マイクロコントローラ（マイコン）のROMを置き換えるメモリとして製品化が始まり、現在では単体メモリ製品も市販されている。単体メモリ製品の最大容量は4Mビットとあまり大きくない。最近では記憶容量を8Mビットに拡大した単体メモリ製品の販売が発表されている（関連記事：容量8MビットのReRAMを製品化）を参照）。
https://eetimes.jp/ee/articles/1907/30/news072.html

　ReRAMの大容量化で期待がかかるのは、3次元クロスポイント構造である。いくつかのメモリベンダーで研究開発が進められている。2020年には製品が登場する可能性が少なくない。

　「NRAM（カーボンナノチューブメモリ）」の長所は、高速かつ高密度で書き換えサイクル回数が多く、データ保持特性に優れることである。短所はコアとなる技術の開発企業がベンチャー1社に限定されていることと、量産品のデータがないことだ。以前には2018年に最初のメモリ製品が登場するとアナウンスされていたものの、開発は遅れている。サンプル出荷は早くても2019年末になるだろう。

　「FeRAM（強誘電体メモリ）」の長所は、高速であることと、1個のトランジスタでメモリセルを作れるので高密度にできること、書き換えサイクル回数を多くできそうなことだろう。短所は、学会発表レベルでも製品に近い水準の成果が出てきていないことである。製品化にはまだ、5年くらいの期間を必要とする可能性が高い。

□DRAMとNANDフラッシュの地位は揺るがない
　既存のメモリ技術では、DRAMとNANDフラッシュメモリが主流である。短くとも今後5年の間は、両者の地位が揺らぐことはないだろう。DRAMの微細化は非常にゆっくりと進んでいく。NANDフラッシュメモリの高密度化は、3D NAND技術としては次々世代、積層数としては200層クラスまでは製品開発が約束されている。この高い開発速度に付いていけるメモリ技術は、ほかにはない。

⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧
https://eetimes.jp/ee/articles/1907/24/news023.html

3 ：名刺は切らしておりまして：2019/08/02(金) 14:13:12.27 ID:67T1KWUg.net

MRAMとか次世代とか言われ続けて
もはや懐かしい感じがする

4 ：名刺は切らしておりまして：2019/08/02(金) 14:27:21.07 ID:bqQWJuqS.net

DRAM製造の新しい国を育成するしかない

5 ：名刺は切らしておりまして：2019/08/02(金) 14:40:19.67 ID:j9+rmQFO.net

>「NRAM（カーボンナノチューブメモリ）」の長所は、高速かつ高密度で書き換えサイクル回数が
>多く、データ保持特性に優れることである。短所はコアとなる技術の開発企業がベンチャー1社
>に限定されていることと、量産品のデータがないことだ。以前には2018年に最初のメモリ製品が
>登場するとアナウンスされていたものの、開発は遅れている。サンプル出荷は早くても2019年
>末になるだろう。

これ調べたことあるけど、いろいろありえないホラふきまくってたな

量産なんてできるわけないし、そろそろ資金ショートで潰れるんじゃね？

6 ：名刺は切らしておりまして：2019/08/02(金) 14:56:13.69 ID:WRUgpInF.net

>>1
Intelが使ってる失敗作品のeDRAMやIntelの横槍で策定が遅れてるHBM3とかとは違うのか？

7 ：名刺は切らしておりまして：2019/08/02(金) 15:11:27.34 ID:obW1jhFG.net

>>6
そこらへんはDRAMの一種
>>1に列挙されてるのはDRAMよりむしろ
NANDフラッシュメモリを高速化したようなのばかりい
20年前からフラッシュメモリを駆逐すると言い続けて今に至る

8 ：名刺は切らしておりまして：2019/08/22(木) 08:13:58.40 ID:yJBnLFIh.net

2016/09/26
富士通が米社と共同開発する次世代メモリの恐るべき正体(後編)
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1021391.html
2017/07/12
次世代の半導体デバイスを支える新材料「グラフェンナノリボン」とは？
https:
//academist-cf.com/journal/?p=5144
2019/03/19
世界トップクラスのFRAM拡大
車載、ロボットなどに多角的展開
https:
//www.sangyo-times.jp/article.aspx?ID=2934

2017/02/06
塗布技術で製造コストを安価に：
半導体単層CNT、塗布型で最高級の移動度を達成
https:
//eetimes.jp/ee/articles/1702/06/news023.html

9 ：名刺は切らしておりまして：2019/09/01(日) 15:30:45.92 ID:JRihNcBR.net

8/29
ｶｰﾎﾞﾝﾅﾉﾁｭｰﾌﾞ製のﾌﾟﾛｾｯｻがついに完成 ｳｪﾊｰ上で均等にするのが課題だったがﾌｧﾝﾃﾞﾙﾜｰﾙｽｶを利用して
https://hayabusa9.5ch.net/test/read.cgi/news/1567060800/

10 ：名刺は切らしておりまして：2019/09/08(日) 13:26:56.32 ID:PUjqgC9x.net

9/8
米MIT、筒状炭素分子で超小型演算回路
https://www.nikkei.com/article/DGKKZO49502760W9A900C1MY1000/

11 ：名刺は切らしておりまして：2019/09/20(金) 21:20:25.94 ID:Qd+W8zp2.net

7/17
VLSIシンポジウム2019報告
AIチップは新構成へ　ルネサスはあえて“3値”メモリー、深層学習の重みが99％ゼロに着目
＜前編＞
https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/column/18/00871/071600001/
7/18
新メモリー採用のAIチップ続々、東芝は新原理でテラビット級に道筋
＜後編＞
https://tech.nikkeibp.co.jp/atcl/nxt/column/18/00871/071600002/

12 ：名刺は切らしておりまして：2019/10/04(金) 23:55:12.96 ID:kXHkEniN.net

　　|￣￣￣￣￣￣￣|
　　|ハゲの犯罪率は|
　　|頭髪が正常な人|
　　|より異常に高い. |
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　 彡 ⌒ ミ .||
　 （´･ω･｀).||　　と、思うのは気のせいです
　　|　 　 ⊃Φ
　　し---Ｊ _||

13 ：名刺は切らしておりまして：2019/10/04(金) 23:56:10.25 ID:A7OiYl3i.net

　　　彡⌒ミ
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14 ：名刺は切らしておりまして：2019/10/04(金) 23:56:29.21 ID:A7OiYl3i.net

　　　 彡⌒ ミ　　　　人人人人人人人人人人
　　　(｀・ω・´)　　＜ ココに文字を入力する
　　　と　　　つ　　　ＹＹＹＹＹＹＹＹＹＹＹＹＹＹＹＹ

15 ：名刺は切らしておりまして：2019/10/04(金) 23:57:02.15 ID:A7OiYl3i.net

　また試すの？

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16 ：名刺は切らしておりまして：2019/10/04(金) 23:57:14.37 ID:A7OiYl3i.net

　 彡 ⌒ ミ
　 (´･ω･｀)　晩ご飯まだかな
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17 ：名刺は切らしておりまして：2019/10/04(金) 23:57:29.57 ID:A7OiYl3i.net

　　　彡⌒ミ
.⊂ヽ(´･ω･`) ))
♪ ＼　　　　ヾ、
　 (( ﾉ　　　〈ヽ_つ
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18 ：名刺は切らしておりまして：2019/10/04(金) 23:59:46.16 ID:3VnZKiIl.net

過疎スレにてAAテスト失礼しました