【半導体】サムスンが最先端ＤＲＡＭ量産　回路微細化、首位独走

ノチラ ★

韓国サムスン電子は20日、新型ＤＲＡＭの量産を始めたと発表した。回路線幅は最先端の10ナノ（ナノは10億分の１）メートル級で、微細化により生産効率を３割高めた。世界で拡大するデータセンター向け需要などに対応する。サムスンは半導体メモリーで世界首位。先端製品の量産で先行し、米国や日本メーカーなどのライバルを引き離す。

量産を始めたのは、サムスンが「第２世代」と呼ぶ10ナノ級ＤＲＡＭで、記憶容量は８ギガ（ギガは10億）ビット。新設計の採用でデータ転送速度は従来品より10％以上速くなり、消費電力も15％以上減らした。主にデータセンターのサーバー向けで、新技術をスマートフォン（スマホ）などモバイル向けＤＲＡＭにも適用する方針だ。

　サムスンは2016年２月に10ナノ級ＤＲＡＭの量産を始めた。同社は「メーカーごとに基準が異なる」として具体的な数値を明らかにしていないが、アナリストは「従来品は18ナノで、今回は15～16ナノまで微細化が進んだ」と分析する。微細化が進むほど１枚のシリコンウエハーから生産できるメモリーの数が増え、生産性が高まる。これにより、サムスンのＤＲＡＭは一部の用途を除き、ほぼ全量が10ナノ級になる。

ＤＲＡＭ世界２位の韓国ＳＫハイニックスは今秋、18ナノＤＲＡＭの量産を始めたが、全体に占める比率は１割に満たない。15～16ナノ品の量産開始は来秋の見通しだ。サムスンはすでに生産量の５割以上が10ナノ級で、全面的に移行する。

　ビッグデータや人工知能（ＡＩ）の普及に伴うデータ量の爆発的な増加で、ＤＲＡＭやＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの需要は急拡大している。サムスンの半導体部門の営業利益は2017年７～９月期に９兆9600億ウォンと前年同期の３倍弱に拡大。４四半期連続で最高益を更新した。

　半導体メモリーは世界的に不足しており、需要が従来型の市況サイクルを超えて伸びる「スーパーサイクル」と呼ぶ現象が起きているとの見方もある。韓国野村証券は「ＤＲＡＭの需給逼迫は来年も続く」と指摘する。サムスンは先端製品への移行で生産量を増やし、旺盛な需要に対応する。

　半導体工場に巨額投資を続けるサムスンは既にＤＲＡＭで５割程度、ＮＡＮＤで４割程度の世界トップシェアを持つ。ＤＲＡＭ市場は同社のほか、エルピーダメモリを買収した米マイクロン・テクノロジー、ＳＫハイニックスの３社寡占状態だが、サムスンは先端製品の投入で独走態勢を固める。データセンター向けに需要が急拡大しているＮＡＮＤでも同社は技術開発で先行しており、東芝など２位以下を引き離す戦略だ。
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